運(yùn)行中的絕緣子長(zhǎng)期工作于強(qiáng)電場(chǎng)、機(jī)械應(yīng)力、污穢及溫濕度等共存的復(fù)雜環(huán)境中，出現(xiàn)故障的幾率很大。隨著運(yùn)行時(shí)間的增加，受機(jī)電聯(lián)合作用，絕緣子的絕緣性能和機(jī)械性能會(huì)下降，從而產(chǎn)生零值或低值絕緣子，這種現(xiàn)象稱為絕緣子的劣化。因此，為確保輸電線路的安全運(yùn)行，必須對(duì)絕緣子進(jìn)行有效的檢測(cè)。而紅外熱像檢測(cè)是通過(guò)探測(cè)被測(cè)設(shè)備的紅外輻射信號(hào)，從而獲得設(shè)備的熱狀態(tài)特征，并根據(jù)這種熱狀態(tài)及適當(dāng)?shù)呐袚?jù)，判斷設(shè)備是否處于正常狀態(tài)。

由于絕緣劣化、表面臟污等原因引起絕緣電阻值下降，會(huì)導(dǎo)致絕緣子發(fā)熱。絕緣子發(fā)熱大致是由介質(zhì)極化引起的介損發(fā)熱、內(nèi)部穿透性泄漏電流引起的發(fā)熱、表面泄漏電流引起的發(fā)熱這三部分組成。絕緣子介質(zhì)極化引起的介損發(fā)熱，其發(fā)熱功率P=U_d²ωCtgδ，U_d為絕緣子分布電壓，ω為角頻率，C為絕緣子的極間電容，tgδ為絕緣子介質(zhì)損耗角的正切值；瓷質(zhì)絕緣子內(nèi)部穿透性泄露電流引起的發(fā)熱，其發(fā)熱功率P=U_dI_g，U_d為絕緣子分布電壓，I_g為貫穿絕緣子的泄露電流；由于表面臟污等原因，絕緣子表面泄露電流引起的發(fā)熱，其發(fā)熱功率P=U_dI_gs，U_d為絕緣子分布電壓，I_gs為絕緣子表面的泄露電流。

由于絕緣子對(duì)導(dǎo)線雜散電容及對(duì)地雜散電容的影響，導(dǎo)致絕緣子串的電壓分布里不對(duì)稱的馬鞍形，靠近導(dǎo)線的絕緣子的分布電壓相對(duì)較高，中間絕緣子承受的電壓則低一些，而靠近橫擔(dān)分布電壓又有所回升。絕緣子的發(fā)熱功率與分布電壓的平方成正比，正常絕緣子串的熱象分布規(guī)律同電壓分布規(guī)律相對(duì)應(yīng)，即呈不對(duì)稱的馬鞍形，相鄰絕緣子間的溫升相差小。

劣化絕緣子發(fā)熱功率隨絕緣電阻值呈非線性變化。對(duì)于逐漸劣化的絕緣子，當(dāng)絕緣電阻值比正常值稍低時(shí)，發(fā)熱功率增大；當(dāng)絕緣電阻值降至很低時(shí)，發(fā)熱功率接近于零，故正常絕緣子與極低值、零值絕緣子發(fā)熱功率可能很接近，所以利用紅外熱象儀檢測(cè)低值和零值絕緣子時(shí)，需要注意可能存在檢測(cè)盲區(qū)。

  低值絕緣子的熱象特征表現(xiàn)為鋼帽溫升偏高，污穢絕緣子表現(xiàn)為瓷盤溫升偏高，零值絕緣子表現(xiàn)為鋼帽溫升偏低。

對(duì)低值、零值絕緣子，可以使用專用的絕緣子零值檢測(cè)儀通過(guò)電阻測(cè)量法、電壓測(cè)量法或紅外熱成像儀進(jìn)行檢測(cè)，海沃迪電氣研發(fā)生產(chǎn)的HVD-DZ20絕緣子電阻測(cè)試儀即是通過(guò)電阻測(cè)量法、通過(guò)測(cè)量絕緣子串的電阻值與標(biāo)準(zhǔn)電阻值進(jìn)行比較、進(jìn)而自動(dòng)判斷是否為低值、零值絕緣子，具有帶電檢測(cè)、自動(dòng)聲光報(bào)警提示、一鍵存儲(chǔ)檢測(cè)數(shù)據(jù)等功能。